姓 名：

陈卫兵

性 别：

男

职 称：

教授

职 务：

无

毕业院校：

华中科技大学

所在学科

通信工程

教师类型：

硕士导师

邮 箱：

26895387@qq.com

2.研究领域

嵌入式系统和微纳电子器件

3.学习和工作经历

学习经历：

1988年6月 华中理工大学固体电子学专业本科毕业，获工学学士学位。

2003年7月 华中科技大学微电子学与固体电子学专业硕士毕业，并获工学硕士学位。

2006年12月 华中科技大学微电子学与固体电子学专业博士毕业，并获工学博士学位。

工作经历：

1988.6-1990.12青岛电器元件厂五车间技术员，晶闸管设计和工艺研究；

1991.1-1992.12湘潭市无线电五厂元件车间主任，晶闸管设计和工艺研究；

1993.1-1996.6 湘潭师范学院应用物理研究所项目经理，电子秤开发和电子技术教学；

1996.7-2000.8 湘潭师范学院物理与信息工程系讲师，电子技术方面课程教学；

2000.9-2003.8 华中科技大学电子科学与技术系攻读硕士学位，从事数字机顶盒等多媒体开发；

2003.9-2005.7 华中科技大学电子科学与技术系攻读博士学位，从事电子器件设计和集成电路设计；

2005.8-2006.2 香港大学电机与电子工程系访问学者，从事Si集成电路工艺和Si基高k栅介质方面研究工作；

2006.9~2007.6香港大学电机与电子工程系博士后，从事Si集成电路工艺、高k栅介质和有机太阳电池工艺方面研究工作；

2007.7至今 湖南工业大学计算机学院

4.科研项目

[1]国家自然科学基金项目，“小尺寸超薄叠层高k栅介质Si/Ge MOSFET研究” （编号：60576021，2006.01-2006.12)，排名第2。

[2]湖南省自然科学基金项目，“快速冷却全溶液工艺聚合物与小分子叠层有机太阳电池研究”（编号：12JJ3072，2012.01－2015.12），主持。

[3]国家国际科技合作专项，“有机红外光探测器”（编号：2013DFG52740，2013.01-2016.12）,排名第3。

5.学术论文

[1] L. F. Deng, P. T. Lai, W. B. Chen, J. P. Xu, Y. R. Liu, H. W. Choi, and C. M. Che, Effects of Different Annealing Gases on Pentacene OTFT With HfLaO Gate Dielectric. Electronic Device Letters. Vol. 32 p: 93-95, 2011.

[2]陈卫兵,杨伟丰,邹豪杰,汤建新等,掺杂CuPc的MEH-PPV/PCBM有机太阳电池研究,物理学报, Vol.60, p:117107, 2011.

[3] Chen Weibing, Zhang Hongbo et al, A Study of OFDM Synchronization Algorithm Based on Coaxial Cable Operating at Gigabit，2011 International Conference on Intelligent Systems Design and Engineering Applications. (ISDEA2011), p:143-147, 2011.

[4] Chen Weibing, Zeng Guanghua et al, Study of A Single Neuron Fuzzy PID DC Motor Control method，2011 International Conference on Intelligent Systems Design and Engineering Applications. (ISDEA2011), p:1125-1129, 2011.

[5] W. B. Chen, M. Z. Deng, H. J. Zou, C. Y. Li, L. F. Deng, P. T. Lai, Improved efficiency of organic photovoltaic MEH-PPV/PCBM device with CuPc-doping. EDSSC2010, Hongkong, 978-1-4244-9998-4.

[6] L. F. Deng, P. T. Lai, W. B. Chen, J. P. Xu, Y. R. Liu, H. W. Choi, and C. M. Che, Effects of Different Annealing Gases on Pentacene OTFT With HfLaO Gate Dielectric. Electronic Device Letters. Vol. 32 p: 93-95, 2011.

[7]陈卫兵,徐静平,邹豪杰,李长云, NO退火对并五苯有机薄膜晶体管特性的改善，华中科技大学学报，Vol. 38, No. 7, p: 66, 2010。

[8]Chen W. B., Xu J. P., Lai P. T., et al.Electrical characteristics of MOS capacators with HfTiON as gate dielectric. Journal of wuhan university of technology-Materials science. Vol. 24(1) p:57, 2009 (SCI)

[9] W. B. Chen, H. J. Zou, M. Z. Deng, C. Y. Li and L. F. Deng, A Limiting Amplifier with LOS Indication for Gigabit Ethernet, IEEE EDSSC, 2008, 12, 8 .

[10] W. B. Chen, H. F. Xiang, Z. X. Xu, B. P. Yan, V. A. L. Roy, C. M. Che*, P. T. Lai, Improving efficiency of organic photovoltaic cells with pentacene-doped CuPc layer. Applied Physics Letter. Vol. 91 p: 191109, 2007.

[11] Chen W. B. , Xu J. P., Lai P. T., et al. Gate Leakage Properties of MOSFET Devices with Tri-Layer High-k Gate Dielectric. Microelectronics reliability. Vol. 47 No. 6 p: 937, 2007.

[12]Chen W. B., Xu J. P., Lai P. T., et al.Electrical characteristics of MOScapacitor with HfTiON gatedielectric andHfTiSiONinterlayer. Chinese Physics. Vol. 15, No. 8, p: 1879,2006。

[13] W. B. CHEN, J. P. XU, P. T. LAI, Y. P. LI, S. G. XU. Gate leakage properties of MOS devices with tri-layer high-k gate dielectric. 2005 IEEE conference on Electron Devices and Solid-State Circuits. December 19-21, 2005. Hong Kong, P: 695.

[14]陈卫兵,徐静平,邹豪杰,李长云, NO退火对并五苯有机薄膜晶体管特性的改善，华中科技大学学报，Vol. 38, No. 7, p: 66, 2010。

[15]陈卫兵,徐静平,邹晓等，小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型，物理学报，Vol. 55, No. 10, p: 5036, 2006。

[16]陈卫兵,徐静平,李艳萍,许胜国,邹晓,不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究,固体电子学研究与进展,Vol.28, 1,142-144, 2008。

[17]陈卫兵，徐静平，邹晓，李艳萍，赵寄，高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析,固体电子学研究与进展, Vol. 24, No. 4, p: 418, 2004。

6.专利与软件著作权

[1]发明专利：一种太阳电池及制备方法，专利号：201310013468.X

[2]实用新型专利：一种太阳电池，专利号:ZL201320018974.3

7.著作

[1] 无

8.获奖情况

[1]2013年获湖南省科技进步三等奖:多元工业固体废物大宗利用制备高性能混凝土加气砌块关键技术研究。排名第5。

9.教改与质量工程项目

[1]参与了“通信工程省级特色专业建设”。

10.社会或学术兼职

[1]无

11.研究生培养

培养硕士研究生10余人。